模拟静电场描绘仪

模拟静电场描绘仪 型号：GVZ-4

模拟静电场描绘仪

主要技术参数：
1. 为箱体和电源分离式，单笔测试,内置四种电**
（同心圆、平行导线、聚焦、劈尖形）。
2.规格为420mm*260mm,高100mm,K4-2导线。
3.同心圆和其他电**印有坐标格规格为1mm. 
4.微晶导电层的均匀性，实验值误差为小于2%。
5.电源输出范围（直流）为7.00v—13.00V，分辨率为0.01V (配三位半数码管)。
6.采用多圈电位器调节电压，调节细度可达0.01V。
应承受250g正负50g的力摩擦2万次，膜层电阻阻值变化0.3%，对导电微晶无磨损。 

1. 为箱体和电源分离式，单笔测试,内置四种电**
（同心圆、平行导线、聚焦、劈尖形）。
2.规格为420mm*260mm,高100mm,K4-2导线。
3.同心圆和其他电**印有坐标格规格为1mm. 
4.微晶导电层的均匀性，实验值误差为小于2%。
5.电源输出范围（直流）为7.00v—13.00V，分辨率为0.01V (配三位半数码管)。
6.采用多圈电位器调节电压，调节细度可达0.01V。
应承受250g正负50g的力摩擦2万次，膜层电阻阻值变化0.3%，对导电微晶无磨损。 

1. 为箱体和电源分离式，单笔测试,内置四种电**
（同心圆、平行导线、聚焦、劈尖形）。
2.规格为420mm*260mm,高100mm,K4-2导线。
3.同心圆和其他电**印有坐标格规格为1mm. 
4.微晶导电层的均匀性，实验值误差为小于2%。
5.电源输出范围（直流）为7.00v—13.00V，分辨率为0.01V (配三位半数码管)。
6.采用多圈电位器调节电压，调节细度可达0.01V。
应承受250g正负50g的力摩擦2万次，膜层电阻阻值变化0.3%，对导电微晶无磨损。